CM200DY-24A
作者：admin 来源： 日期：2017-5-8 22:29:39
概要
采用CSTBTTM硅片技术
饱和压降低、短路承受能力强、驱动功率小
比同等级其他沟槽型IGBT电流输出能力高10%，在相同输出电流时ΔT(j-f)低15%
成本优化的封装
内置导热性能优异的氮化铝(AlN)绝缘基层，热阻小
模块内部寄生电感小
功率循环能力显著改善
产品规格书
封装
应用
适合中、低端变频器产品设计
其他备注
上一篇：RA30H4047M1
下一篇：CM300DY-24A
